Gjør som tusenvis av andre bokelskere
Abonner på vårt nyhetsbrev og få rabatter og inspirasjon til din neste leseopplevelse.
Ved å abonnere godtar du vår personvernerklæring.Du kan når som helst melde deg av våre nyhetsbrev.
Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method.
- Bindende:
- Paperback
- Sider:
- 204
- Utgitt:
- 1. august 2018
- Dimensjoner:
- 148x210x11 mm.
-
BLACK NOVEMBER
Gratis frakt
Leveringstid:
2-4 uker
Forventet levering: 27. desember 2024
Utvidet returrett til 31. januar 2025
Beskrivelse av Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method.
The growth of heavily n-type doped silicon by the Czochralski method is frequently accompanied by the formation of dislocations. These dislocations lead to a reduction of yield and have therefore to be prevented. In this dissertation the reason for the formation of the dislocations is analyzed in detail.
Brukervurderinger av Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method.
Vurder denne boken
Du må være innlogget for å vurdere denne boken.Andre har også kjøpt..
Finn lignende bøker
Boken Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method. finnes i følgende kategorier:
Du kan når som helst melde deg av våre nyhetsbrev.
© 2024 Bokreolen.no
