Modelirowanie osnownyh parametrow netradicionnyh MOP-tranzistorow

V ätoj knige metody kanaloobrazowaniq i zatwornogo inzhiniringa ob#edineny dlq formirowaniq nowyh struktur priborow, predlozhennyh w kachestwe MOP-tranzistorow s odnogaloidnym dwojnym material'nym zatworom (SHDMG) i dwuhgaloidnym dwojnym material'nym zatworom (DHDMG). Sowremennye MOP-tranzistory nerawnomerno legirowany w rezul'tate slozhnogo tehnologicheskogo processa. Poätomu odnim iz klüchewyh faktorow dlq tochnogo modelirowaniq harakteristicheskih parametrow qwlqetsq modelirowanie nerawnomernogo profilq legirowaniq. V knige takzhe predstawleny analiticheskie modeli podporogowogo powerhnostnogo potenciala, porogowogo naprqzheniq, toka stoka i transkonduktiwnosti na osnowe teorii drejfa-diffuzii dlq n-MOP-tranzistorow s linejnym i gaussowym profilem na osnowe SHDMG i DHDMG, rabotaüschih w rezhime do 40 nm. Takzhe predlozhena analiticheskaq model' podporogowogo toka stoka na osnowe kwazifermi-potenciala dlq linejnogo, a takzhe gaussowogo profilej SHDMG i DHDMG MOP-tranzistorow, uchitywaüschaq fringingowye polq na dwuh koncah pribora.